• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2090
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Технология
Рабочая температура
Скорость
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
FR12D02 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
MUR7020 DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 GeneSiC Semiconductor DO-203AB, DO-5, Stud 70A Standard Chassis, Stud Mount DO-5 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1V @ 70A 200V 75ns -55°C ~ 150°C
MBR7540R DIODE SCHOTTKY REV 40V DO5 GeneSiC Semiconductor DO-203AB, DO-5, Stud 75A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-5 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5mA @ 20V 650mV @ 75A 40V -65°C ~ 150°C
FST12060 DIODE MODULE 60V 120A TO249AB GeneSiC Semiconductor TO-249AB Schottky Chassis Mount TO-249AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 750mV @ 120A 60V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 120A (DC)
GE10MPS06E 650V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M GeneSiC Semiconductor TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 26A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252-2 No Recovery Time > 500mA (Io) 466pF @ 1V, 1MHz 650V -55°C ~ 175°C SiC Schottky MPS™
MURTA20040 DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Standard Chassis Mount Three Tower Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 400V 1.3V @ 100A 400V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 100A
S320Q DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 GeneSiC Semiconductor DO-205AB, DO-9, Stud 320A Standard Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 600V 1.2V @ 300A 1200V -60°C ~ 180°C
GBPC1510W BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W GeneSiC Semiconductor 4-Square, GBPC-W 1kV 15A Single Phase Through Hole GBPC-W Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 5µA @ 1000V 1.1V @ 7.5A
MBRT300200 DIODE SCHOTTKY 200V 150A 3 TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Schottky Chassis Mount Three Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1mA @ 200V 920mV @ 150A 200V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 150A
MUR10020CT DIODE MODULE 200V 50A 2TOWER GeneSiC Semiconductor Twin Tower Standard Chassis Mount Twin Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.3V @ 50A 200V 75ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 50A
BR82 BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A BR-8 GeneSiC Semiconductor 4-Square, BR-8 200V 8A Single Phase Through Hole BR-8 Standard -65°C ~ 125°C (TJ) 10µA @ 200V 1.1V @ 4A
KBU6M BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU GeneSiC Semiconductor 4-SIP, KBU 1kV 6A Single Phase Through Hole KBU Standard -55°C ~ 150°C (TJ) 10µA @ 1000V 1V @ 6A
MBR20045CT DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER GeneSiC Semiconductor Twin Tower Schottky Chassis Mount Twin Tower Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5mA @ 20V 650mV @ 100A 45V 1 Pair Common Cathode 200A (DC)
MSRTA50060(A) DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER GeneSiC Semiconductor Three Tower Standard Chassis Mount Three Tower Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 600V 1.2V @ 500A 600V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 500A (DC)
S70YR DIODE GEN PURP REV 1.6KV 70A DO5 GeneSiC Semiconductor DO-203AB, DO-5, Stud 70A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-5 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 70A 1600V -65°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100