- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBRTA600150 | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4mA @ 150V | 880mV @ 300A | 150V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 300A | ||||||||
MBR8045 | DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 80A | Schottky | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 45V | 650mV @ 80A | 45V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
1N2137A | DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 60A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 50V | 1.1V @ 60A | 500V | -65°C ~ 200°C | |||||||||
MBR3580R | DIODE SCHOTTKY REV 80V DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 35A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.5mA @ 20V | 840mV @ 35A | 80V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
MBRF20020R | DIODE SCHOTTKY 150V 100A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 150V | 880mV @ 100A | 150V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 100A | ||||||||
MBR12060CT | DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 20V | 750mV @ 60A | 60V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 120A (DC) | ||||||||
FR40D02 | DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 40A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 1V @ 40A | 200V | 200ns | -40°C ~ 125°C | ||||||||
MURF10040 | DIODE MODULE 400V 50A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 50A | 400V | 75ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 50A | |||||||
MURF20040R | DIODE MODULE 400V 100A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 100A | 400V | 90ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 100A | |||||||
1N3289AR | DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA | GeneSiC Semiconductor | DO-205AA, DO-8, Stud | 100A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-205AA (DO-8) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 24mA @ 200V | 1.5V @ 100A | 200V | -40°C ~ 200°C | |||||||||
FR12BR02 | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 12A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 800mV @ 12A | 100V | 200ns | -65°C ~ 150°C | ||||||||
MBR2X120A080 | DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227 | GeneSiC Semiconductor | SOT-227-4, miniBLOC | Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 120A | 80V | -40°C ~ 150°C | 2 Independent | 120A | ||||||||
MURF40040R | DIODE GEN PURP 400V 200A TO244 | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 400V | 1.3V @ 200A | 400V | 180ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 200A | |||||||
MBRH24080R | DIODE SCHOTTKY 80V 240A D67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 240A | Schottky | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 240A | 80V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
W02M | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM | GeneSiC Semiconductor | 4-Circular, WOM | 200V | 1.5A | Single Phase | Through Hole | WOM | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 200V | 1V @ 1A |
- 10
- 15
- 50
- 100