Полупроводники, Диоды Comchip Technology 2010

Найдено: 11
  • DIODE GEN PURP 600V 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 930mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 400V
    • Емкость @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1KV 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 930mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 1000V
    • Емкость @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 800V 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 800V
    • Емкость @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 60V 3A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 700mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 60V
    • Емкость @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 200V 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 600V 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 930mV @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 8.2pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 100V 3A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 850mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 100V
    • Емкость @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 40V 3A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 500mV @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 500µA @ 40V
    • Емкость @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 125°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1KV 1A 2010
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 2010 (5025 Metric)
    • Тип корпуса: 2010
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 5µA @ 1000V
    • Емкость @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: