- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MADP-011048-TR3000 | RF DIODE PIN 80V 4.7W 8HQFN | MACOM Technology Solutions | 8-LQFN Exposed Pad | 80V | PIN - Anti-Parallel | 8-HQFN (4x4) | 175°C (TJ) | 3.75A | 4pF @ 0V, 100MHz | 4.7W | 500mOhm @ 10mA, 100MHz |
MA45471 | DIODE,VARACTOR,BONDED,STRIP,SI,O | MACOM Technology Solutions | 2-SMD, Flat Lead | 75V | PIN - Anti-Parallel | ODS-1134 | 175°C (TJ) | 2A | 3.5pF @ 0V, 1MHz | 1.7W | |
UMX9989AP | SI PPIN HERMETIC MELF | Microchip Technology | Module | PIN - Anti-Parallel | -65°C ~ 150°C | 8pF @ 0V, 1MHz | |||||
UMX9989AP/TR | SI PPIN HERMETIC MELF | Microchip Technology | Module | PIN - Anti-Parallel | -65°C ~ 150°C | 8pF @ 0V, 1MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100