- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: Module
- Тип диода: PIN - Anti-Parallel
- Емкость @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: Module
- Тип диода: PIN - Anti-Parallel
- Емкость @ Vr, F: 8pF @ 0V, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: ODS-1134
- Тип диода: PIN - Anti-Parallel
- Емкость @ Vr, F: 3.5pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 2A
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W
- Обратное пиковое напряжение: 75V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 8-LQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-HQFN (4x4)
- Тип диода: PIN - Anti-Parallel
- Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 100MHz
- Ток, макс.: 3.75A
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.7W
- Обратное пиковое напряжение: 80V
- Сопротивление @ If, F: 500mOhm @ 10mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100