• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
2SC4227-A RF TRANS NPN 10V 7GHZ SC70 CEL SC-70, SOT-323 65mA 10V 150mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SC-70 40 @ 7mA, 3V 7GHz 12dB 1.4dB @ 1GHz
CGHV40200PP RF MOSFET HEMT 440199 Cree/Wolfspeed 440199 3GHz 125V 18.7A HEMT 440199 218W 20.1dB
CG2H80015D-GP4 RF DISCRETE Cree/Wolfspeed Die Die
2324-20 RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW Microsemi Corporation 55AW 3A 40V 58W Chassis Mount 200°C 55AW 10 @ 160mA, 5V 2.3GHz ~ 2.4GHz 7dB
MRF8372G RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Microsemi Corporation 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 200mA 16V 2.2W Surface Mount NPN 8-SO 30 @ 50mA, 5V 870MHz 8dB ~ 9.5dB
1214-32L RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 Microsemi Corporation 55AW-1 5A 50V 125W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55AW-1 20 @ 1A, 5V 1.2GHz ~ 1.4GHz 7.8dB ~ 8.9dB
BFU610F,115 RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP NXP USA Inc. SOT-343F 10mA 5.5V 136mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 4-DFP 90 @ 1mA, 2V 15GHz 13.5dB ~ 23.5dB 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
PRF957,115 RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 NXP USA Inc. SC-70, SOT-323 100mA 10V 270mW Surface Mount NPN 175°C (TJ) SC-70 50 @ 5mA, 6V 8.5GHz 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
15GN03MA-TL-E RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP onsemi SC-70, SOT-323 70mA 10V 400mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 3-MCP 100 @ 10mA, 5V 1.5GHz 13dB @ 0.4GHz 1.6dB @ 0.4GHz
UPA901TU-T3-A RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Renesas Electronics America Inc 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 75mA, 250mA 4.5V 410mW Surface Mount 2 NPN (Dual) 8-MINIMOLD 80 @ 6mA, 3V / 80 @ 20mA, 3V
2SC2620QBTR-E RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST Renesas Electronics America Inc
2SC5752-T1-A SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Renesas Electronics America Inc SC-82A, SOT-343 100mA 6V 200mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-343 75 @ 30mA, 3V 12GHz 13dB 1.7dB @ 2GHz
BF799WH6327XTSA1 RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SC-70, SOT-323 35mA 20V 280mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT323-3 40 @ 20mA, 10V 800MHz 3dB @ 100MHz
BFR750L3RHE6327 RF BIPOLAR TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SC-101, SOT-883 90mA 4.7V 360mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-TSLP-3 160 @ 60mA, 3V 37GHz 21dB 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
SD1433 RF TRANS NPN 16V M122 STMicroelectronics M122 2.5A 16V 58W Chassis, Stud Mount NPN 200°C (TJ) M122 10 @ 1A, 5V 7dB
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.