Полупроводники, Транзисторы, РЧ транзисторы Частота 12GHz
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD
- Тип корпуса: SMD
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.5dB
- Номинальный ток: 15mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: M04
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.45dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S02
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.3dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S02
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 14dBm
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 12.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.3dB
- Номинальный ток: 88mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S02
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.35dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S02
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.35dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: SOT-343F
- Тип корпуса: M04
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.45dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-Super Mini Mold
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 125mW
- Тип транзистора: N-Channel GaAs HJ-FET
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.65dB
- Номинальный ток: 60mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S02
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 14dBm
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 12.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.3dB
- Номинальный ток: 88mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100