Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона.
Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT).
Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона.
HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии.
HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.
Справочная информация по основным параметрам:
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) —
Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) —
Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Transistor Type (Тип транзистора) —
Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) —
Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) —
V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) —
h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.
Frequency - Transition (Граничная частота) —
Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) —
Максимально допустимый длительный среднеквадратичный ток через компонент, при котором температура не выходит за установленный предел, компонент сохраняет работоспособность и его электрические характеристики остаются в номинальных границах.