• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
  • BFP740E6327
    RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Мощность - Макс.: 160mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
    • Граничная частота: 42GHz
    • Усиление: 27dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MZ0912B50Y,114
    RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-443A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Граничная частота: 1.215GHz
    • Усиление: 8dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPH3417-TL-E
    NCH 1.8V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE664M04-A
    RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: SOT-343F
    • Мощность - Макс.: 735mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 3V
    • Граничная частота: 20GHz
    • Усиление: 12dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFP740H6327XTSA1
    RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4-2
    • Мощность - Макс.: 160mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
    • Граничная частота: 42GHz
    • Усиление: 27dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC4227-T1-A
    RF TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 7mA, 3V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5007-A
    RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 7mA, 3V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE85618-T1-A
    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 6.5GHz
    • Усиление: 13dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DSA9G01C0L
    TRANSISTOR RF PNP SSMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5231C9-TL-E
    2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: 3-SMCP
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 135 @ 20mA, 5V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NE856M02-AZ
    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
    CEL
    • Производитель: CEL
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 6.5GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFG520,235
    RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143B
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 20mA, 6V
    • Граничная частота: 9GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SD1405
    RF TRANS NPN 18V M174
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: M174
    • Тип корпуса: M174
    • Мощность - Макс.: 270W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 5V
    • Усиление: 13dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR 181T E6327
    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 175mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 19.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFG424F,115
    RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
    • Тип корпуса: 4-SO
    • Мощность - Макс.: 135mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 2V
    • Граничная частота: 25GHz
    • Усиление: 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.