-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE5550779A-T1-A | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | Rochester Electronics, LLC | 4-SMD, Flat Leads | 900MHz | 30V | 2.1A | LDMOS | 79A | 38.5dBm | 22dB | 7.5V | 140mA |
- 10
- 15
- 50
- 100