-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NE55410GR-T3-AZ | RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | Rochester Electronics, LLC | 16-DFF, Exposed Pad | 2.14GHz | 65V | 250mA, 1A | LDMOS | 16-HTSSOP | 35.4dBm | 13.5dB | 28V | 20mA |
| BLD6G22LS-50,112 | RF TRANSISTOR | Rochester Electronics, LLC | SOT-1130B | 2.14GHz | 65V | 10.2A | LDMOS (Dual), Common Source | CDFM4 | 8W | 14dB | 28V | 170mA |
- 10
- 15
- 50
- 100