- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 5V
- Граничная частота: 6GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 8mA, 10V
- Граничная частота: 1.5GHz
- Усиление: 14dB ~ 26dB
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-23-6
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 26mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 50mA, 9V
- Граничная частота: 5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23-3
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 2mA, 10V
- Граничная частота: 700MHz
- Усиление: 20dB ~ 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 3V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 7.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-443A
- Тип корпуса: SOT443A
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление: 7dB
- 10
- 15
- 50
- 100