- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-MINIMOLD
- Мощность - Макс.: 410mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 75mA, 250mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 6mA, 3V / 80 @ 20mA, 3V
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: CMPAK-4
- Мощность - Макс.: 54mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 22GHz
- Усиление: 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: 3-CP
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 1.2GHz
- Усиление: 13dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 400MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 600MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 600MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 850MHz
- Усиление: 15dB ~ 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236AB (SOT23)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 65 @ 15mA, 10V
- Граничная частота: 5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 700MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 2mA, 10V
- Граничная частота: 700MHz
- Усиление: 20dB ~ 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
- 10
- 15
- 50
- 100