- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323-3
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-MCPH
- Мощность - Макс.: 400mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 8V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 16GHz
- Усиление: 17.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 6-Super Lead-Less MiniMold
- Мощность - Макс.: 130mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 1V
- Граничная частота: 6.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 6V
- Граничная частота: 8.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SC-59
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 1mA, 10V
- Граничная частота: 150MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
- Граничная частота: 24GHz
- Усиление: 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-UFDFN
- Тип корпуса: 4-ECSP1008
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 1V
- Граничная частота: 26GHz
- Усиление: 15dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 20mA, 2V
- Граничная частота: 45GHz
- Усиление: 22.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 7mA, 3V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 6V
- Граничная частота: 10GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
- 10
- 15
- 50
- 100