- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: SOT-343
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 20mA, 3V
- Граничная частота: 15GHz
- Усиление: 15dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 350W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 8mA, 10V
- Граничная частота: 1.5GHz
- Усиление: 14dB @ 200MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 600MHz
- Усиление: 15dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 7mA, 3V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 1.1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 20mA, 8V
- Граничная частота: 8.5GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 1.1GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT143-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 600MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 20mA, 2V
- Граничная частота: 500MHz
- 10
- 15
- 50
- 100