Найдено: 685
  • RX1214B300Y - MICROWAVE POWER TR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-439A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Мощность - Макс.: 570W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 21A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление: 8dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 160mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
    • Граничная частота: 42GHz
    • Усиление: 27dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 200°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-439A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Мощность - Макс.: 960W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 21A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Граничная частота: 1.215GHz
    • Усиление: 7.6dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Мощность - Макс.: 185mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
    • Усиление по току (hFE): 110 @ 50mA, 1.5V
    • Граничная частота: 65GHz
    • Усиление: 21.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 10V
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: SOT-343
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 15mA, 3V
    • Граничная частота: 43GHz
    • Усиление: 11dB ~ 30.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 3V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 7.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 3.5V 15MA ECSP1008-4
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-UFDFN
    • Тип корпуса: 4-ECSP1008
    • Мощность - Макс.: 50mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 15mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 1V
    • Граничная частота: 24GHz
    • Усиление: 17dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF NPN 10V 8GHZ SOT143R
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143B
    • Мощность - Макс.: 380mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 15mA, 5V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 280mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
    • Граничная частота: 1.4GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 1.4GHz
    • Усиление: 20dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 850MHz
    • Усиление: 15dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
    • Граничная частота: 600MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NPN RF TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MX0912B251Y - NPN SILICON RF POW
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-439A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Мощность - Макс.: 690W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Граничная частота: 1.215GHz
    • Усиление: 8dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: