• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 209
  • MMBT5770
    RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 600MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPSH11
    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 4mA, 10V
    • Граничная частота: 650MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPS5179RLRP
    SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 2GHz
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPH6003A-TL-E
    RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    • Тип корпуса: 6-CPH
    • Мощность - Макс.: 800mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 5V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 9dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC2756YMTF
    RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 850MHz
    • Усиление: 15dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF199_D74Z
    RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 38 @ 7mA, 10V
    • Граничная частота: 1.1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC3123YMTF
    RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 5mA, 10V
    • Граничная частота: 1.4GHz
    • Усиление: 20dB ~ 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF959RL1G
    RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 700MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBT5179
    RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 2GHz
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBTH10-4LT1
    RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 225mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 4mA, 10V
    • Граничная частота: 800MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5226A-4-TL-E
    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70 / MCP3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 20mA, 5V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 12dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SC5277A-2-TL-E
    RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SMCP
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 10mA, 5V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NSVF6001SB6T1G
    RF TRANSISTOR, NPN SINGLE, 12 V,
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MPS5179_D26Z
    RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
    • Граничная частота: 2GHz
    • Усиление: 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • KSC1393YTA
    RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 2mA, 10V
    • Граничная частота: 700MHz
    • Усиление: 20dB ~ 24dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100