- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
- Тип корпуса: TO-92S
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
- Граничная частота: 600MHz
- Усиление: 18dB ~ 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: 3-CP
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 5V
- Граничная частота: 4.5GHz
- Усиление: 9.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 3mA, 10V
- Граничная частота: 600MHz
- Усиление: 20dB ~ 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 200W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 400mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 97 @ 1mA, 5V
- Граничная частота: 1.1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: 3-CP
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 135 @ 20mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-81
- Тип корпуса: 3-SSFP
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 20mA, 5V
- Граничная частота: 7GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-96
- Тип корпуса: 3-CPH
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 10V
- Граничная частота: 400MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 4mA, 10V
- Граничная частота: 650MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 800MHz
- Усиление: 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-81
- Тип корпуса: 3-SSFP
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 3mA, 2V
- Граничная частота: 1.7GHz
- Усиление: 16dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 700MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 38 @ 7mA, 10V
- Граничная частота: 1.1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70-3 (SOT323)
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 10V
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100