-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Тип транзистора
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Current - Test
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 375-501N21A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 50MHz | 500V | 25A | N-Channel | DE375 | 940W | DE | |
| 375-102N12A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 1000V | 12A | N-Channel | DE375 | 940W | DE | ||
| 150-102N02A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 1000V | 2A | N-Channel | DE150 | 200W | DE | ||
| 275-102N06A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 1000V | 8A | N-Channel | DE275 | 590W | DE | ||
| 475-102N21A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE475 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 1000V | 24A | N-Channel | DE475 | 1800W | DE | ||
| 150-501N04A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | 500V | 4.5A | N-Channel | DE150 | 200W | 25µA | DE | |
| 375-0001 | RF MOSFET N-CH 1000V 10A | IXYS-RF |
- 10
- 15
- 50
- 100