• Производитель
  • Частота
Найдено: 271
  • RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
    • Граничная частота: 24GHz
    • Усиление: 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Мощность - Макс.: 280mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
    • Граничная частота: 1.4GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 22dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC RF POWER TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-33288-2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.8A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.9dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 18.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-37248H-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: PG-TSLP-3
    • Мощность - Макс.: 160mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
    • Граничная частота: 42GHz
    • Усиление: 24dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LOW-NOISE SI TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 22dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
    • Мощность - Макс.: 175mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 70mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 17.5dB ~ 21dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 75mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 5mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 13dB ~ 28dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
    • Усиление по току (hFE): 110 @ 80mA, 3V
    • Граничная частота: 37GHz
    • Усиление: 10.5dB ~ 21.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 4-TSFP
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
    • Усиление по току (hFE): 110 @ 30mA, 3V
    • Граничная частота: 46GHz
    • Усиление: 8B ~ 30.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER RECTIFIER DIODE
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: