• Производитель
  • Частота
Найдено: 271
  • RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 380mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 40mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 9.5dB ~ 13.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS H-34288-6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 200W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Мощность - Макс.: 280mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 45mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 5GHz
    • Усиление: 11.5dB ~ 17dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: PG-SOT89
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 300mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6.1V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 250mA, 5V
    • Граничная частота: 1.85GHz
    • Усиление: 17dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 580mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 10dB ~ 15dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 4-TSFP
    • Мощность - Макс.: 55mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
    • Граничная частота: 25GHz
    • Усиление: 22.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LOW-NOISE SIGE:C TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC RF POWER TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.6A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.8dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
    • Граничная частота: 24GHz
    • Усиление: 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 90mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
    • Граничная частота: 6GHz
    • Усиление: 9.5dB ~ 14.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
    • Мощность - Макс.: 700mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 50mA, 8V
    • Граничная частота: 7.5GHz
    • Усиление: 10.5dB ~ 16.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 4-TSFP
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 3.5V
    • Граничная частота: 30GHz
    • Усиление: 20dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 75mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
    • Граничная частота: 25GHz
    • Усиление: 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANSISTOR, NPN
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: PG-SC-75
    • Мощность - Макс.: 380mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 40mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 12.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: