- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 45mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 10.5dB ~ 16dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 75mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 22.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 185mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 50mA, 1.5V
- Граничная частота: 65GHz
- Усиление: 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 3.5V
- Граничная частота: 30GHz
- Усиление: 21.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: MICRO-X1
- Тип корпуса: MICRO-X1
- Мощность - Макс.: 580mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 7.5GHz
- Усиление: 12.5dB ~ 13.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 30mA, 3V
- Граничная частота: 40GHz
- Усиление: 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 70mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 17.5dB ~ 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
- Граничная частота: 24GHz
- Усиление: 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: PG-TSFP-3
- Мощность - Макс.: 380mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 40mA, 3V
- Граничная частота: 14GHz
- Усиление: 9.5dB ~ 13.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 45mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 5GHz
- Усиление: 11.5dB ~ 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PG-SOT89
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6.1V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 250mA, 5V
- Граничная частота: 1.85GHz
- Усиление: 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 580mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10dB ~ 15dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 55mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 22.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
- 10
- 15
- 50
- 100