• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: PG-SOT323
• Мощность - Макс.: 450mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 65mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
• Граничная частота: 8GHz
• Усиление: 18.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
• Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
• Мощность - Макс.: 250mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 65mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
• Граничная частота: 8GHz
• Усиление: 22dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: PG-SOT89
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 210mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 70mA, 8V
• Граничная частота: 5.5GHz
• Усиление: 7dB ~ 11.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-3D
• Мощность - Макс.: 580mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 80mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
• Граничная частота: 8GHz
• Усиление: 13.5dB ~ 20.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-3D
• Мощность - Макс.: 580mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 80mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
• Граничная частота: 8GHz
• Усиление: 13.5dB ~ 20.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-3D
• Мощность - Макс.: 450mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 65mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
• Граничная частота: 8GHz
• Усиление: 22dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-723
• Тип корпуса: PG-TSFP-3
• Мощность - Макс.: 380mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 80mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
• Усиление по току (hFE): 90 @ 40mA, 3V
• Граничная частота: 14GHz
• Усиление: 9.5dB ~ 13.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: PG-SOT323
• Мощность - Макс.: 300mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 90mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
• Граничная частота: 6GHz
• Усиление: 10.5dB ~ 15.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: PG-SOT363-PO
• Мощность - Макс.: 450mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 65mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
• Граничная частота: 8GHz
• Усиление: 19dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-3D
• Мощность - Макс.: 75mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 25mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
• Граничная частота: 25GHz
• Усиление: 23dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-4-2
• Мощность - Макс.: 75mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 35mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 2.25V
• Усиление по току (hFE): 150 @ 10mA, 1.8V
• Граничная частота: 80GHz
• Усиление: 18.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-3D
• Мощность - Макс.: 185mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 80mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
• Усиление по току (hFE): 110 @ 50mA, 1.5V
• Граничная частота: 65GHz
• Усиление: 21.5dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
• Тип корпуса: PG-TSFP-4-1
• Мощность - Макс.: 75mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 35mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 2.6V
• Усиление по току (hFE): 150 @ 10mA, 1.8V
• Граничная частота: 85GHz
• Усиление: 35dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-82A, SOT-343
• Тип корпуса: PG-SOT343-3D
• Мощность - Макс.: 450mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 65mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
• Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
• Граничная частота: 8.5GHz
• Усиление: 22dB
• Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz