• Производитель
  • Частота
Найдено: 271
  • RF LOW-NOISE SI TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 22dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 280mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 800MHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-4-2
    • Мощность - Макс.: 240mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 70mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 4V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 35mA, 3V
    • Граничная частота: 45GHz
    • Усиление: 16.5dB ~ 29dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 18.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BFR35 - LOW-NOISE SI TRANSISTORS
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 22dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: PG-SOT89
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 210mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 70mA, 8V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Усиление: 7dB ~ 11.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 580mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 13.5dB ~ 20.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 580mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 13.5dB ~ 20.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 22dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-723
    • Тип корпуса: PG-TSFP-3
    • Мощность - Макс.: 380mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 80mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 90 @ 40mA, 3V
    • Граничная частота: 14GHz
    • Усиление: 9.5dB ~ 13.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 90mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
    • Граничная частота: 6GHz
    • Усиление: 10.5dB ~ 15.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: PG-SOT363-PO
    • Мощность - Макс.: 450mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 19dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: PG-SOT343-3D
    • Мощность - Макс.: 75mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 25mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
    • Граничная частота: 25GHz
    • Усиление: 23dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: