- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 20mA, 2V
- Граничная частота: 45GHz
- Усиление: 22.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 230mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 70mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5.8V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 20mA, 3V
- Граничная частота: 22GHz
- Усиление: 12.5dB ~ 26.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 5mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 160mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 20mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 50mA, 4V
- Граничная частота: 24GHz
- Усиление: 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-143R
- Тип корпуса: PG-SOT143-4-1
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 160mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 20mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 20mA, 2V
- Граничная частота: 45GHz
- Усиление: 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
- Усиление: 16dB ~ 17.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 580mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10dB ~ 15dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4-1
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 120mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6.1V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 90mA, 5V
- Граничная частота: 900MHz
- Усиление: 27dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz
- 10
- 15
- 50
- 100