- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 80mA, 3V
- Граничная частота: 42GHz
- Усиление: 11dB ~ 21.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-3D
- Мощность - Макс.: 75mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 4V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 23dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3
- Мощность - Макс.: 360mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 90mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 60mA, 3V
- Граничная частота: 37GHz
- Усиление: 21dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 15mA, 3V
- Граничная частота: 45GHz
- Усиление: 10dB ~ 29dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 30mA, 3V
- Граничная частота: 46GHz
- Усиление: 8B ~ 30.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 4-TSFP
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 13mA, 3V
- Граничная частота: 45GHz
- Усиление: 10.5dB ~ 28dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3-1
- Мощность - Макс.: 380mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 90 @ 40mA, 3V
- Граничная частота: 14GHz
- Усиление: 7.5dB ~ 16.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: PG-SOT323
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 20mA, 10V
- Граничная частота: 800MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 280mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 1.4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 800MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 22dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-101, SOT-883
- Тип корпуса: PG-TSLP-3
- Мощность - Макс.: 160mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.7V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 25mA, 3V
- Граничная частота: 42GHz
- Усиление: 24.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 300mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 75 @ 200mA, 8V
- Граничная частота: 5.5GHz
- Усиление: 12.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: PG-SOT23
- Мощность - Макс.: 250mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 12dB ~ 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 30mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10.5dB ~ 16dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 821MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.15A
- Выходная мощность: 60W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19.3dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100