• Производитель
  • Частота
Найдено: 354
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Серия
GTRA362802FC-V1-R0 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH Cree/Wolfspeed H-37248C-4 3.4GHz ~ 3.6GHz 125V HEMT H-37248C-4 280W 13.5dB 48V 200mA GaN
CGHV1J006D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE Cree/Wolfspeed Die 18GHz 100V HEMT Die 6W 17dB 40V 30mA GaN
PTVA042502FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
PTFB211503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 2.17GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 32W 18dB 30V 1.2A
GTVA263202FC-V1-R2 RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.62GHz ~ 2.69GHz 125V HEMT H-37248-4 340W 17dB 48V 200mA GaN
PXAE263708NB-V1-R0 SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ Cree/Wolfspeed PG-HB2SOF-8-1 2.62GHz ~ 2.69GHz 65V 10µA LDMOS PG-HB2SOF-8-1 57W 14dB 28V 850mA
PTFB193404F-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 Cree/Wolfspeed H-37275-6/2 1.99GHz 65V LDMOS H-37275-6/2 80W 19dB 30V 2.6A
PXAC182002FC-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS Cree/Wolfspeed
GTVA123501FA-V1-R0 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET Cree/Wolfspeed H-37265J-2 1.2GHz ~ 1.4GHz 125V HEMT H-37265J-2 350W 20dB 50V 100mA GaN
GTVA101K42EV-V1-R250 GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ Cree/Wolfspeed H-36275-4 960MHz ~ 1.215GHz 125V HEMT H-36275-4 1400W 17dB 50V 200mA GaN
CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN Cree/Wolfspeed 6-VDFN Exposed Pad 0Hz ~ 6GHz 84V HEMT 6-QFN-EP (3x3) 8W 12dB 28V 100mA GaN
PTFB192503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 1.99GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 50W 19dB 30V 1.9A
PTFB182503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
CGH21240F GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ Cree/Wolfspeed 440117 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V HEMT 440117 240W 15dB 28V 1A GaN
PXAC201202FC-V2-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed H-37248-4 2.2GHz 65V LDMOS H-37248-4 16W 17dB 28V 240mA