- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 1.9GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 500MHz
- Усиление: 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 500MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 500MHz
- Усиление: 10dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 50mA, 15V
- Граничная частота: 2.4GHz
- Усиление: 11.4dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 8dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 400mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 50mA, 15V
- Граничная частота: 2.4GHz
- Усиление: 11.4dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 8dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 625mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 8mA, 1V
- Граничная частота: 900MHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 600MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 2mA, 10V
- Граничная частота: 2.5GHz
- Усиление: 25dB
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
- Тип корпуса: TO-72
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 3mA, 1V
- Граничная частота: 2GHz
- Усиление: 15dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 350mW
- Тип транзистора: NPN
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 4mA, 10V
- Граничная частота: 650MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 10V
- Граничная частота: 600MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 100mA, 2V
- Граничная частота: 1.3GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100