- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Усиление: 9dB ~ 14.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 32mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 2.7V
- Усиление: 12.5dB ~ 14.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD (70 mil)
- Тип корпуса: 70 mil Package
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 35mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10.5dB ~ 14dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 32mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2mA, 2.7V
- Усиление: 11dB ~ 12.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Усиление: 11dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD (36 micro-X)
- Тип корпуса: 36 micro-X
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 35mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10dB ~ 13.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-86
- Тип корпуса: 86 Plastic
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 60mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 9dB ~ 18dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD (35 micro-X)
- Тип корпуса: 35 micro-X
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 60mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10dB ~ 18.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 60mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 10mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 8dB ~ 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70-3
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Усиление: 9dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Усиление: 9dB ~ 14.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143
- Мощность - Макс.: 225mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 5mA, 5V
- Усиление: 11dB ~ 15.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 2.7V
- Усиление: 9dB ~ 11dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SMD (36 micro-X)
- Тип корпуса: 36 micro-X
- Мощность - Макс.: 600mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 80mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 35mA, 8V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 10dB ~ 13.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 32mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2mA, 2.7V
- Усиление: 11dB ~ 12.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100