• Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLA6G1011L-200RG,1 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D Ampleon USA Inc. SOT-502D 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 49A LDMOS LDMOST 200W 20dB 28V 100mA
BLA6G1011LS-200RG, RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C Ampleon USA Inc. SOT-502C 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 49A LDMOS LDMOST 200W 20dB 28V 100mA
PTVA101K02EV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-36275-4 Cree/Wolfspeed H-36275-4 1.03GHz ~ 1.09GHz 105V LDMOS H-36275-4 900W 21dB 50V 150mA
MAGX-001090-700L0S TRANSISTOR RF 700W GAN MACOM Technology Solutions 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 31A HEMT 700W 20.5dB 50V 500mA
MAGX-001090-700L00 TRANSISTOR RF 700W GAN MACOM Technology Solutions 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 31A HEMT 700W 20.5dB 50V 500mA
MAGX-001090-600L0S TRANSISTOR RF 600W GAN MACOM Technology Solutions 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 80A HEMT 550W 21.4dB 50V 600mA
BLA1011-2,112 RF TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT-538A 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V 2.2A LDMOS 2-CSMD 2W 16dB 36V 50mA
BLA1011S-200R,112 RF TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT-502B 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V LDMOS SOT502B 200W 13dB 36V 150mA
BLA1011S-200,112 RF TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SOT-502B 1.03GHz ~ 1.09GHz 75V LDMOS SOT502B 200W 13dB 36V 150mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100