• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
BF246B SCR Central Semiconductor Corp
MX2N4859UB/TR JFET Microchip Technology
2N4092UB/TR JFET Microchip Technology 3-SMD, No Lead 40V 360mW Surface Mount -65°C ~ 175°C (TJ) 3-UB (3.09x2.45) N-Channel 40V 16pF @ 20V 15mA @ 20V 50 Ohms
MV2N4861 N CHANNEL JFET Microchip Technology TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 30V 360mW Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-18 (TO-206AA) N-Channel 30V 18pF @ 10V 80mA @ 15V 4V @ 0.5nA 60 Ohms Military, MIL-PRF-19500/385
2N3821 N CHANNEL JFET Microchip Technology TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 50V 300mW Through Hole -55°C ~ 200°C (TJ) TO-72 N-Channel 50V 6pF @ 15V 2.5mA @ 15V 4V @ 0.5nA Military, MIL-PRF-19500/375
2N3823 N CHANNEL JFET Microchip Technology TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 30V 300mW Through Hole -55°C ~ 200°C (TJ) TO-72 N-Channel 30V 6pF @ 15V 20mA @ 15V 8V @ 500pA Military, MIL-PRF-19500/375
2N5115UB P CHANNEL JFET Microsemi Corporation 3-SMD, No Lead 30V 500mW Surface Mount -65°C ~ 200°C (TJ) UB P-Channel 30V 25pF @ 15V 60mA @ 15V 6V @ 1nA 100 Ohms Military, MIL-PRF-19500
MMBFJ175LT3G JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 225mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 (TO-236) P-Channel 11pF @ 10V (VGS) 7mA @ 15V 3V @ 10nA 125 Ohms
2N5461_D74Z JFET P-CH 40V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 40V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 7pF @ 15V 2mA @ 15V 1V @ 1µA
TF202THC-5-TL-H JFET N-CH 1MA 100MW VTFP onsemi 3-SMD, Flat Lead 100mW 1 mA Surface Mount 150°C (TJ) 3-VTFP N-Channel 3.5pF @ 5V 210µA @ 5V 200mV @ 1µA
EC3A04B-3-TL-H JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3 onsemi 3-XFDFN 100mW 10 mA Surface Mount 150°C (TJ) ECSP1006-3 N-Channel 30V 4pF @ 10V 1.2mA @ 10V 180mV @ 1µA 200 Ohms
2SK1070PIETR-E JFET N-CH MPAK Renesas Electronics America TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 22V 150mW Surface Mount 150°C 3-MPAK N-Channel 9pF @ 5V 12mA @ 5V 0V @ 10µA
TF252TH-4-TL-H SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC 3-SMD, Flat Lead 100mW Surface Mount 150°C (TJ) 3-VTFP N-Channel 3.1pF @ 2V 140µA @ 2V 100mV @ 1µA
2SK596S-A SMALL SIGNAL FET Rochester Electronics, LLC SC-72 100mW Through Hole 150°C (TJ) 3-SPA N-Channel 4.1pF @ 5V 100µA @ 5V 500mV @ 1µA
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 40V 50 mA Surface Mount -40°C ~ 125°C (TA) SC-70-5 N-Channel 40V 24pF @ 5V 24mA @ 10V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.