• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
2N5457 JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 Central Semiconductor Corp TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 25V 310mW Through Hole -65°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 25V 7pF @ 15V 1mA @ 15V 500mV @ 10nA
SST4393 SOT-23 3L LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH Linear Integrated Systems, Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 13pF @ 20V 100 Ohms SST4393
MX2N4859 N CHANNEL JFET Microchip Technology TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 30V 360mW Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-18 (TO-206AA) N-Channel 30V 18pF @ 10V 175mA @ 15V 10V @ 500pA 25 Ohms Military, MIL-PRF-19500/385
2N4091UB JFET N-CHAN 40V 3SMD Microchip Technology 3-SMD, No Lead 40V 360mW Surface Mount -65°C ~ 175°C (TJ) 3-UB (3.09x2.45) N-Channel 40V 16pF @ 20V 30mA @ 20V 30 Ohms
MX2N4393UB N CHANNEL JFET Microsemi Corporation
NTE466 JFET-N-CH CHOPPER/SW NTE Electronics, Inc
BSR57,215 JFET N-CH 40V 250MW SOT23 NXP USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 250mW Surface Mount 150°C (TJ) SOT-23 (TO-236AB) N-Channel 40V 20mA @ 15V 5V @ 0.5nA 40 Ohms
J3A040YXS/T0BY4571 TRANSISTOR JFET 8PLLCC NXP USA Inc.
J175_D27Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 30V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 7mA @ 15V 3V @ 10nA 125 Ohms
5185-2N4392 BIPOLAR TRANSISTORS onsemi TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 40V Through Hole N-Channel 60 Ohms
2N5461 JFET P-CH 40V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 Long Body 40V 350mW Through Hole -65°C ~ 135°C (TJ) TO-92 (TO-226) P-Channel 7pF @ 15V 2mA @ 15V 1V @ 1µA
2SK715U JFET N-CH 50MA 300MW SPA onsemi SC-72 300mW 50 mA Through Hole 125°C (TJ) 3-SPA N-Channel 15V 10pF @ 5V 7.3mA @ 5V 600mV @ 100µA
J201_D27Z JFET N-CH 40V 0.625W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 40V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 200µA @ 20V 300mV @ 10nA
J175 JFET P-CH 30V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 7mA @ 15V 3V @ 10nA 125 Ohms
2N4416A-2 MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF Vishay Siliconix TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 35V 300mW Through Hole -50°C ~ 150°C (TJ) TO-206AF (TO-72) N-Channel 4pF @ 15V 5mA @ 15V 2.5V @ 1nA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.