• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Ток стока макс (Id)
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
Сопротивление канала (On)
Серия
PN4391 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Fairchild Semiconductor TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 30V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 14pF @ 20V 50mA @ 20V 4V @ 1nA 30 Ohms
SST113 SOT-23 3L N-CH JFET SWITCHES Linear Integrated Systems, Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 35V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 12pF @ 10V 100 Ohms SST113
MS2N4092 JFET Microchip Technology
MX2N5116 N CHANNEL JFET Microsemi Corporation TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 30V 500mW Through Hole -65°C ~ 200°C (TJ) TO-18 P-Channel 30V 27pF @ 15V 25mA @ 15V 4V @ 1nA 175 Ohms Military, MIL-PRF-19500
J111,126 JFET N-CH 40V 400MW TO92-3 NXP USA Inc. TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 40V 400mW Through Hole 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 40V 6pF @ 10V (VGS) 20mA @ 15V 10V @ 1µA 30 Ohms
J3A012YXS/T0BY4551 TRANSISTOR JFET 8PLLCC NXP USA Inc.
BF246B JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 25V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 60mA @ 15V 600mV @ 10nA
2N5460_D75Z JFET P-CH 40V 0.35W TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 40V 350mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 P-Channel 7pF @ 15V 1mA @ 15V 750mV @ 1µA
BSR58 JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 40V 250mW Surface Mount 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 8mA @ 15V 800mV @ 0.5nA 60 Ohms
PN4393_D26Z JFET N-CH 30V 625MW TO92 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 30V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 14pF @ 20V 5mA @ 20V 500mV @ 1nA 100 Ohms
MMBF5434 JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25V 350mW Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-3 N-Channel 30pF @ 10V (VGS) 30mA @ 15V 1V @ 3nA
PN4093 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 40V 625mW Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 N-Channel 16pF @ 20V 8mA @ 20V 1V @ 1nA 80 Ohms
PMBFJ176,215 SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30V 300mW Surface Mount 150°C (TJ) SOT-23 (TO-236AB) P-Channel 30V 8pF @ 10V (VGS) 2mA @ 15V 1V @ 10nA 250 Ohms
TF208TH-4-TL-H JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Rochester Electronics, LLC 3-SMD, Flat Lead 100mW Surface Mount 150°C (TJ) VTFP N-Channel 5pF @ 2V 140µA @ 2V 100mV @ 1µA
TF218THC-5-TL-H-SY N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT Sanyo
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.