• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
  • MQ2N4860
    JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SST174-T1-E3
    JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 85 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DSK9J01Q0L
    TRANS JFET N-CH 30MA SMD
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: SSMini3-F3-B
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 125mW
    • Ток стока макс (Id): 30 mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J113_D26Z
    JFET N-CH 35V 625MW TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N4391
    N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 1.8W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SST204-E3
    JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J177_D26Z
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 300 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SK3796-3-TL-E
    JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMCP
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Ток стока макс (Id): 10 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 180mV @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 200 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N4391-2
    MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-206AA (TO-18)
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 1.8W
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMMBFJ177LT1
    TRANS JFET P-CH SOT23
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 174DFN 8L
    P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: 174DFN
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 135°C (TJ)
    • Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-DFN (2x2)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 85 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MX2N4861UB
    JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N4859A
    JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
    • Ток стока макс (Id): 250 pA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 500pA
    • Сопротивление канала (On): 25 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPH3910-TL-E
    JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: 3-CPH
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V
    • Ток стока макс (Id): 50 mA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J2A080GX0/T0BG295,
    TRANSISTOR JFET 8PLLCC
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.