Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Тип канала
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage SC-70, SOT-323 100mW Surface Mount 125°C (TJ) USM N-Channel 8.2pF @ 10V 2.6mA @ 10V 400mV @ 100nA
2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage SC-70, SOT-323 50V 100mW Surface Mount 125°C (TJ) USM N-Channel 13pF @ 10V 1.2mA @ 10V 1.5V @ 100nA
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage SC-70, SOT-323 100mW Surface Mount 125°C (TJ) USM N-Channel 8.2pF @ 10V 1.2mA @ 10V 400mV @ 100nA