Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 350mW в корпусе TO-92-3

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 86
  • J177_D26Z
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 300 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5460_D75Z
    JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J175
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 125 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J175_D27Z
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 125 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5461_D74Z
    JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN5432
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA
    • Сопротивление канала (On): 5 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF247A
    JFET N-CH 25V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N5638
    SMALL SIGNAL FET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J112
    JFET N-CH 35V TO92
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 50 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J177
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 300 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J271
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • P1086_D74Z
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 75 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J270
    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • P1086_D75Z
    JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 75 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN4117A_D26Z
    JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100