-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA
- Сопротивление канала (On): 40 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA
- Сопротивление канала (On): 150 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
- Сопротивление канала (On): 125 Ohms
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA
- Сопротивление канала (On): 250 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1nA
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
- Сопротивление канала (On): 125 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
- Сопротивление канала (On): 85 Ohms
- 10
- 15
- 50
- 100