Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 100mW в корпусе TO-92-3

Найдено: 4
  • JFET N-CH 50V 0.1W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50V 0.1W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50V 0.1W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 50V 0.1W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 0V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: