Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 350mW в корпусе TO-236
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236
- Тип канала: P-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA
- Сопротивление канала (On): 85 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Siliconix
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: TO-236
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100