Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 360mW

Найдено: 68
  • N CHANNEL JFET
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 500pA
    • Сопротивление канала (On): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
    • Ток стока макс (Id): 250 pA
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 500pA
    • Сопротивление канала (On): 25 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 500pA
    • Сопротивление канала (On): 25 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CHAN 40V 3SMD
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 3-UB (3.09x2.45)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 3-UB (3.09x2.45)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
    • Сопротивление канала (On): 50 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA
    • Сопротивление канала (On): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18 (TO-206AA)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA
    • Сопротивление канала (On): 25 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: J212
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: J210
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CHAN 40V 3SMD
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 3-UB (3.09x2.45)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
    • Сопротивление канала (On): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: J211
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 500pA
    • Сопротивление канала (On): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JFET N-CHAN 40V 3SMD
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 3-UB (3.09x2.45)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
    • Сопротивление канала (On): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 500pA
    • Сопротивление канала (On): 40 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N CHANNEL JFET
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/385
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA
    • Сопротивление канала (On): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: