Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 325mW
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 325mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 50V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 3mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 100nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100