- Мощность - Макс.
- Производитель
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока макс (Id)
- Тип корпуса
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
|
Мощность - Макс.
|
Ток стока макс (Id)
|
Вид монтажа
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Ток стока @ Vds (Vgs=0)
|
Сопротивление канала (On)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IJW120R100T1FKSA1 | JFET N-CHAN 26A TO247-3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 1.2 V | 190W | 26 A | Through Hole | -55°C ~ 175°C (TJ) | PG-TO247-3 | N-Channel | 1.2V | 1550pF @ 19.5V (VGS) | 1.5µA @ 1.2V | 100 mOhms | CoolSiC™+ |
| IJW120R100T1FKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Rochester Electronics, LLC | TO-247-3 | 190W | Through Hole | -55°C ~ 175°C (TJ) | PG-TO247-3 | N-Channel | 1.2V | 1550pF @ 19.5V (VGS) | 1.5µA @ 1.2V | 100 mOhms | |||
| UJ3N065080K3S | 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, | UnitedSiC | TO-247-3 | 650V | 190W | 32 A | Through Hole | -55°C ~ 175°C (TJ) | TO-247-3 | N-Channel | 650V | 630pF @ 100V | 95 mOhms |
- 10
- 15
- 50
- 100