• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 1.8W
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 3 V
• Ток стока макс (Id): 50 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 100 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1A
• Сопротивление канала (On): 25 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-18
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 40 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 625mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 100 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 100 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-18
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
• Мощность - Макс.: 360mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA
• Сопротивление канала (On): 60 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 360mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 100nA
• Сопротивление канала (On): 375 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-18
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 1.8W
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 20V
• Ток стока макс (Id): 100 pA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 30 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 350mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
• Ток стока макс (Id): 30 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 400 mV
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
• Мощность - Макс.: 1.8W
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
• Ток стока макс (Id): 50 mA
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
• Сопротивление канала (On): 100 Ohms

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
• Мощность - Макс.: 360mW
• Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 20V
• Ток стока @ Vds (Vgs=0): 300mA @ 10V
• Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 8V @ 10µA