- Производитель
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Мощность - Макс.
- Ток стока макс (Id)
- Тип корпуса
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1A
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1A
- Сопротивление канала (On): 100 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS)
- Мощность - Макс.: 360mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V
- Ток стока макс (Id): 250 pA
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 500pA
- Сопротивление канала (On): 25 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 310mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 20V
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
- Ток стока макс (Id): 50 mA
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA
- Сопротивление канала (On): 50 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1A
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 35V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 120Hz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Тип канала: P-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 310mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
- Мощность - Макс.: 350mW
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA
- Сопротивление канала (On): 60 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100