Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 12A Pmax 89W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • IRGB5B120KDPBF
    IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 160ns
    • Мощность - Макс.: 89W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 6A, 50Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 24A
    • Switching Energy: 390µJ (on), 330µJ (off)
    • Gate Charge: 25nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 22ns/100ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100