Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 10A Pmax 88W

Найдено: 2
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Время обратного восстановления (trr): 134.5ns
    • Мощность - Макс.: 88W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
    • Gate Charge: 43nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 134.5ns
    • Мощность - Макс.: 88W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 20A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
    • Gate Charge: 43nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: