Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 10A Pmax 81W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • FGP5N60UFDTU
    IGBT 600V 10A 81W TO220
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Время обратного восстановления (trr): 30ns
    • Мощность - Макс.: 81W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 5A, 20Ohm, 15V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 15A
    • Switching Energy: 75µJ (on), 59µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 6ns/44ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100