Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 12A Pmax 77W

Найдено: 18
  • IGBT 600V 12A 77W TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 13nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE 600V IGBT
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: I-PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT WITH RECOVERY DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT, 12A, 600V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 600V 12A 77W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 19.5nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: