• Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • APT50GT120B2RDLG
    IGBT 1200V 106A 694W TO-247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Мощность - Макс.: 694W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 106A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT50GT120LRDQ2G
    IGBT 1200V 106A 694W TO264
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264 [L]
    • Мощность - Макс.: 694W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 106A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT50GT120LRDQ2G
    IGBT 1200V 106A 694W TO264
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264 [L]
    • Мощность - Макс.: 694W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 106A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100