Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 120A Pmax 680W

Найдено: 3
  • IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 680W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT MOD 1200V 120A 680W SOT227
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 680W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 2mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT DISCRETE TO-247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: XPT™, GenX4™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Мощность - Макс.: 680W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 32A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 230A
    • Switching Energy: 5.55mJ (on), 1.55mJ (off)
    • Gate Charge: 92nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 21ns/140ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: