Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 120A Pmax 660W

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • AFGY100T65SPD
    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 105ns
    • Мощность - Макс.: 660W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
    • Gate Charge: 109nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100